BSB014N04LX3G、BSB017N03LX3G对比区别

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型号 BSB014N04LX3G BSB017N03LX3G

描述 40V,1.4mΩ,180A,N沟道功率MOSFET30V,147A,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 WDSON-2-3 -

通道数 1 -

漏源极电阻 1.4 mΩ -

耗散功率 2.8 W -

漏源击穿电压 40 V -

上升时间 8.4 ns -

下降时间 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -

长度 6.35 mm -

宽度 5.05 mm -

高度 0.7 mm -

封装 WDSON-2-3 -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free