BSB014N04LX3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSB014N04LX3G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.4 mΩ
耗散功率 2.8 W
漏源击穿电压 40 V
上升时间 8.4 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WDSON-2-3
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 WDSON-2-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSB014N04LX3G引脚图与封装图
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在线购买BSB014N04LX3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB014N04LX3G | Infineon 英飞凌 | 40V,1.4mΩ,180A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSB014N04LX3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB014N04LX3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： WDSON-2-3 | 当前型号 | 40V,1.4mΩ,180A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSB017N03LX3G 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 30V,147A,N沟道功率MOSFET | BSB014N04LX3G和BSB017N03LX3G的区别 |