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IDT7202LA35J、IDT7202LA35SO、IDT7202LA35JG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7202LA35J IDT7202LA35SO IDT7202LA35JG

描述 CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1024 ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32Pin PLCC Tube/Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PLCC-32 SOIC-28 QCCJ

引脚数 - - 32

封装 PLCC-32 SOIC-28 QCCJ

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

频率 - - 22.2 MHz

时钟频率 - - 22.2 MHz

存取时间 - 35 ns 35 ns

内存容量 - - 1125 B

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -