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JANTX2N5660、TIP110、TIP120G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5660 TIP110 TIP120G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  TIP110  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 50 W, 2 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP120G.  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-66 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 2.00 A 5.00 A

额定功率 - - 2 W

输出电压 - - 60 V

输出电流 - - 5 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W 50 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 60 V 60 V

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 2A - 5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 5V 1000 1000

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 65 W

输入电压 - - 2.5 V

长度 - 10.4 mm 15.75 mm

宽度 - 4.6 mm 4.83 mm

高度 - 9.15 mm 4.82 mm

封装 TO-66 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99