MMBT2907、MMBT2907A、MMBT2907ALT1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 MMBT2907 MMBT2907A MMBT2907ALT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907.  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907A  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 350 mW, 800 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -600 mA

额定功率 - - 300 mW

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 350 mW 350 mW 225 mW

输入电容 - - 30 pF

上升时间 - - 40 ns

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - - 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 300 200

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 0.35 W 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.93 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR NLR

HTS代码 - 8541210075 -