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TLC2272QDRQ1、TLV272QDRG4Q1、TLC2272QDRG4Q1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272QDRQ1 TLV272QDRG4Q1 TLC2272QDRG4Q1

描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨运算放大器 ADVANCED LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS运算放大器 - 运放 Auto Cat 550uA/Ch 3MHz Rail to Rail高级LinCMOS轨到-RAIL运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO -RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 2.4 mA 750 µA 2.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.396 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 58 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.18 MHz 3.00 MHz 2.18 MHz

转换速率 3.60 V/μs 2.10 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 3 MHz 2.18 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 300 µV 500 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 396 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 58 dB 70 dB

增益带宽 2.25 MHz 3 MHz -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free