CC1175RHBR、CC1175RHMR、CC1175RHBT对比区别
型号 CC1175RHBR CC1175RHMR CC1175RHBT
描述 高性能射频发射窄带系统 High Performance RF Transmitter for Narrowband Systems高性能射频发射窄带系统 High Performance RF Transmitter for Narrowband SystemsCC1175 Sub-1GHz 窄带射频发射器Texas Instruments CC1175 设备是完全集成的单芯片无线电发射器，设计用于在 IEEE 802.15.4g 无线系统内提供非常低的功率和低电压操作。射频频段：164-192MHz、274–320MHz、410–480MHz 和 820-960MHz ISM/SRD 频带 通道间距：低至 6.25kHz 射频输出功率：高达 +16dBm 调制：FSK、GFSK、4-FSK、4-GFSK、MSK 或 OOK OTA 数据传输率：高达 200kbps（数据包模式） 支持数据包处理、数据缓冲和快速传输 编码增益支持更高范围和更大坚固性 128 字节传输先进先出 主机通信：串行 SPI 温度传感器 电源：+2.0 至 +3.6V 直流 工作温度范围：-40 至 +85°C 应用：无线计量、无线智能栅格、IEEE 802.15.4g 系统、卫生保健、无线传感器网络、物联网 (IoT) 本地通信 ### 注支持与 CC1190 设备 (RS 750-6700) 无缝集成，用于增大距离，提供高达 +27dBm 的输出功率。### 认可ETSI，FCC，ARIB### 单芯片组件，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 RF射频器件RF射频器件射频发射器
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 VQFN-32 VQFN-32 VQFN-32
频率 164MHz ~ 192MHz,274MHz ~ 320MHz,410MHz ~ 480MHz,820MHz ~ 960MHz 164MHz ~ 192MHz,274MHz ~ 320MHz,410MHz ~ 480MHz,820MHz ~ 960MHz 164MHz ~ 192MHz,274MHz ~ 320MHz,410MHz ~ 480MHz,820MHz ~ 960MHz
FLASH内存容量 0 B 0 B 0 B
输出功率 16 dBm 16 dBm 16 dBm
待机电流 300 nA 300 nA 300 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 2 V - 2 V
长度 - - 5.15 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 0.95 mm - 0.95 mm
封装 VQFN-32 VQFN-32 VQFN-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 5A991.b - EAR99
香港进出口证 NLR - -