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MMBT4124-7-F、MMBT4124LT1G、MMBT4124对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4124-7-F MMBT4124LT1G MMBT4124

描述 Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR  MMBT4124LT1G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE小信号 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 20.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.35 W 225 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V 60

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300000 mW 350 mW

最大电流放大倍数(hFE) 360 - 360

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.92 mm

高度 - - 0.93 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -