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ISO5851DW、ISO5851DWR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISO5851DW ISO5851DWR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ISO5851DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

电源电压(DC) 3.00V (min) -

上升/下降时间 20 ns 20 ns

输出接口数 1 1

输出电压 15V ~ 30V -

输出电流 3.6 mA -

通道数 1 1

针脚数 16 -

耗散功率 700 mW 700 mW

上升时间 20 ns -

隔离电压 5700 Vrms 5700 Vrms

下降时间 20 ns -

下降时间(Max) 20 ns 20 ns

上升时间(Max) 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 700 mW 100 mW

电源电压(Max) 5.5 V -

电源电压(Min) 3 V -

长度 10.5 mm -

宽度 7.6 mm -

高度 2.65 mm -

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99