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D44C12、D44C12G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44C12 D44C12G

描述 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220-3

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

额定电压(DC) - 80.0 V

额定电流 - 4.00 A

极性 - NPN

耗散功率 - 30 W

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @200mA, 1V

额定功率(Max) - 30 W

直流电流增益(hFE) - 120

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 30000 mW

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99