FM25CL64B-DG、FM25CL64B-DGTR、FM24CL64B-DG对比区别

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型号 FM25CL64B-DG FM25CL64B-DGTR FM24CL64B-DG

描述 F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM MemoryFM24CL64 系列 64 Kb (8 K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TDFN-8 WDFN-8 TDFN-8

供电电流 3 mA 3 mA 0.3 mA

耗散功率 - 1 W -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 550 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

针脚数 8 - 8

时钟频率 20 MHz - 1 MHz

电源电压(Max) 3.65 V - 3.65 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

存取时间 - - 550 ns

封装 TDFN-8 WDFN-8 TDFN-8

长度 4.5 mm - 4 mm

宽度 4 mm - 4.5 mm

高度 0.75 mm - 0.7 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99