FM25CL64B-DG

F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

立创商城:
FM25CL64B-DG

欧时:
Cypress Semiconductor FM25CL64B-DG 64kbit SPI FRAM 存储器, 8K x 8 位, 2.7 → 3.65 V, -40 → +85 °C

贸泽:
F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

e络盟:
铁电存储器FRAM, 64 Kbit8K x 8SPI, 20 MHz, 2.7 V至3.65 V电源, DFN-8

艾睿:
FRAM 64Kbit Serial-SPI Interface 3V/3.3V Automotive 8-Pin TDFN EP Tube

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NVRAM FRAM Serial-SPI 64K-Bit 3V/3.3V 8-Pin TDFN EP

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