AUIRFR2407TR、AUIRFR2407TRL、IRFR2407TRPBF对比区别
型号 AUIRFR2407TR AUIRFR2407TRL IRFR2407TRPBF
描述 DPAK N-CH 75V 42AN沟道 75V 42AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 110 W - 110 W
通道数 1 - -
漏源极电阻 26 mΩ - 0.0218 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 110 W - 110 W
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V - -
连续漏极电流(Ids) 42A 42A 42A
上升时间 90 ns 90 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 66 ns 66 ns 66 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110000 mW 110000 mW 110W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
额定功率(Max) - - 110 W
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99