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AUIRFR2407TR

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
AUIRFR2407TR中文资料参数规格
技术参数

额定功率 110 W

通道数 1

漏源极电阻 26 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 66 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

AUIRFR2407TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AUIRFR2407TR Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 75V 42A 搜索库存
替代型号AUIRFR2407TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AUIRFR2407TR

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 75V 42A

当前型号

DPAK N-CH 75V 42A

当前型号

型号: AUIRFR2407TRL

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-CH 75V 42A

完全替代

N沟道 75V 42A

AUIRFR2407TR和AUIRFR2407TRL的区别

型号: IRFR2407PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 75V 42A

类似代替

INFINEON  IRFR2407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 26 mohm, 10 V, 4 V

AUIRFR2407TR和IRFR2407PBF的区别

型号: IRFR2407TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 75V 42A

类似代替

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

AUIRFR2407TR和IRFR2407TRPBF的区别