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SPP20N60CFDHKSA1、SPP20N65C3XKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPP20N60CFDHKSA1 SPP20N65C3XKSA1

描述 TO-220AB N-CH 650V 20.7A晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 208W (Tc) 208 W

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.7A 20.7A

上升时间 15 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 6.4 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc)

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.16 Ω

阈值电压 - 3 V

额定功率(Max) - 208 W

长度 10 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm

高度 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅