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SPP20N65C3XKSA1

SPP20N65C3XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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Low specific on-state resistance R on*A
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Very low energy storage in output capacitance E oss @400V
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Low gate charge Q g
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Fieldproven CoolMOS™ quality
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CoolMOS™ technology has been manufactured by since 1998

Benefits:

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High efficiency and power density
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Outstanding cost/performance
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High reliability
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Ease-of-use

Target Applications:

 

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Consumer
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PC power
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Adapter
SPP20N65C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-CH

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SPP20N65C3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPP20N65C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
SPP20N65C3XKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPP20N65C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP20N65C3XKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220-3 N-CH 650V 20.7A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: SPP20N60C3XKSA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 20.7A

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型号: SPP20N60CFDHKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-CH 650V 20.7A

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