STB6NK60ZT4、STB9NK60ZT4、STB3NK60ZT4对比区别

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型号 STB6NK60ZT4 STB9NK60ZT4 STB3NK60ZT4

描述 STMICROELECTRONICS  STB6NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 6.00 A 7.00 A 2.40 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1 Ω 0.85 Ω 3.3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 125 W 45 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.00 A 1.20 A

上升时间 14 ns 17 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 905pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 125 W 45 W

下降时间 19 ns 15 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) 45W (Tc)

输入电容 905 pF - -

通道数 - 1 -

长度 10.75 mm 10.4 mm 10.75 mm

宽度 10.4 mm 9.35 mm 10.4 mm

高度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -