IRF3415STRLPBF、IRFS41N15DPBF、IRF3415STRRPBF对比区别
型号 IRF3415STRLPBF IRFS41N15DPBF IRF3415STRRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 150V 43A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 150 V
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 200 W 3.8 W
产品系列 - - IRF3415S
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 43A 41A 43.0 A
上升时间 55 ns 63 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2520pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 69 ns 14 ns 69 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
额定功率 200 W 200 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.042 Ω 0.045 Ω -
阈值电压 4 V 5.5 V -
输入电容 2400 pF - -
额定功率(Max) 3.8 W 3.1 W -
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -