额定电压DC 150 V
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRF3415S
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 43.0 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 69 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3415STRRPBF | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 150V 43A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3415STRRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK N-Channel 150V 43A | 当前型号 | D2PAK N-CH 150V 43A | 当前型号 | |
型号: IRF3415STRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 150V 43A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF3415STRRPBF和IRF3415STRLPBF的区别 |