FQB4N20LTM、IRFW610BTM_FP001、IRFW610B对比区别

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型号 FQB4N20LTM IRFW610BTM_FP001 IRFW610B

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263 -

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 3.80 A 3.3A -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 3.80 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.35 Ω - -

耗散功率 3.13 W - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 70 ns - -

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) - -

下降时间 40 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc) - -

封装 TO-263-3 TO-263 -

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -