FQB4N20LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB4N20LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.80 A
通道数 1
漏源极电阻 1.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB4N20LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB4N20LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB4N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB4N20LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB4N20LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 200V 3.8A 1.35ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRFW610BTM_FP001 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-CH 200V 3.3A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FQB4N20LTM和IRFW610BTM_FP001的区别 |