IXFH15N100、IXFT15N100Q、APT17F100B对比区别

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型号 IXFH15N100 IXFT15N100Q APT17F100B

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH15N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 4.5 VTrans MOSFET N-CH 1kV 15A 3Pin(2+Tab) TO-268N沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 17.0 A

耗散功率 360 W 360 W 625W (Tc)

输入电容 - - 2.25 nF

栅电荷 - - 90.0 nC

漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A - 17.0 A

上升时间 30 ns 27 ns 31 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4845pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 14 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 625W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.7 Ω 700 mΩ -

漏源击穿电压 1000 V 1000 V -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 4.5 V - -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 16.26 mm 16.05 mm -

宽度 5.3 mm 14 mm -

高度 21.46 mm 5.1 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -