STW20NM60、STW80NF55-08、IXFH20N60对比区别

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型号 STW20NM60 STW80NF55-08 IXFH20N60

描述 STMICROELECTRONICS  STW20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VN沟道55V - 0.0065ohm - 80A TO- 247 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

漏源极电阻 0.25 Ω 8.00 mΩ 350 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 192 W 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 600 V 55 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 55.0 V 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 80.0 A 20.0 A

上升时间 20 ns 110 ns 43 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

下降时间 11 ns 35 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 192W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 650 V - 600 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

针脚数 3 - 3

阈值电压 4 V - 4.5 V

输入电容 - - 3.30 nF

栅电荷 - - 90.0 nC

额定功率(Max) 192 W - 300 W

工作结温(Max) - - 150 ℃

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

重量 - - 6 g

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -