STW80NF55-08中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 3850pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STW80NF55-08引脚图与封装图
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在线购买STW80NF55-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STW80NF55-08 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道55V - 0.0065ohm - 80A TO- 247 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A TO-247 STripFET⑩ POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STW80NF55-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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