锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFU5505、SPU18P06P、IRFR5505对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU5505 SPU18P06P IRFR5505

描述 IPAK P-CH 55V 18ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorDPAK P-CH 55V 18A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 57W (Tc) - 57W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 18A 18.6 A 18.0 A

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 57W (Tc) - 57W (Tc)

额定电压(DC) - -60.0 V -55.0 V

额定电流 - -18.6 A -18.0 A

产品系列 - - IRFR5505

上升时间 - - 28 ns

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

输入电容 - 860 pF -

栅电荷 - 33.0 nC -

额定功率(Max) - 80 W -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free