额定电压DC -60.0 V
额定电流 -18.6 A
极性 P-CH
耗散功率 -
输入电容 860 pF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 18.6 A
输入电容Ciss 860pF @25VVds
额定功率Max 80 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SPU18P06P 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-251 P-CH 60V 18.6A 860pF | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IRFU5505 品牌: 英飞凌 封装: IPAK P-CH 55V 18A | 类似代替 | IPAK P-CH 55V 18A | SPU18P06P和IRFU5505的区别 | |
型号: IRFR5505TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-CH 55V 18A | 功能相似 | INFINEON IRFR5505TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V | SPU18P06P和IRFR5505TRPBF的区别 | |
型号: IRFR5505PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 55V 18A | 功能相似 | INFINEON IRFR5505PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 110 mohm, -10 V, -4 V | SPU18P06P和IRFR5505PBF的区别 |