SPD04N60C3、SPD04N60S5对比区别

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型号 SPD04N60C3 SPD04N60S5

描述 INFINEON  SPD04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 650 V 600 V

额定电流 4.50 A 4.50 A

通道数 1 1

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 50 W 50W (Tc)

输入电容 - 580 pF

栅电荷 - 22.9 nC

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.50 A

上升时间 2.5 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 490pF @25V(Vds) 580pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 50 W

下降时间 9.5 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50 W 50W (Tc)

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.85 Ω -

阈值电压 3 V -

宽度 6.22 mm 6.22 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

高度 2.41 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -