SPD04N60S5
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD04N60S5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
输入电容 580 pF
栅电荷 22.9 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD04N60S5引脚图与封装图
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在线购买SPD04N60S5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPD04N60S5 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPD04N60S5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD04N60S5 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-CH 600V 4.5A 580pF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPD04N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 650V 4.5A | 类似代替 | INFINEON SPD04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V | SPD04N60S5和SPD04N60C3的区别 |