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LM4140ACM-2.0、LM4140BCM-2.0/NOPB、LM4140CCM-2.0/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM4140ACM-2.0 LM4140BCM-2.0/NOPB LM4140CCM-2.0/NOPB

描述 参考电压 Prec MicroPwr LDO Vtg Ref1.024V 至 2.048V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。1.024V 至 2.048V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.1 % ±0.1 % ±0.1 %

输入电压(DC) 2.20V ~ 5.50V - 2.20V ~ 5.50V

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 8 mA 8 mA 8 mA

供电电流 375 µA 375 µA 375 µA

通道数 1 1 1

静态电流 230 µA 230 µA 230 µA

跌落电压 160 mV 160 mV 160 mV

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

输入电压 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

输入电压(Max) - 5.6 V 5.6 V

输出电压(Max) - 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) - 8 mA 8 mA

精度 - 0.1 % 0.1 %

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±3 ppm/℃ ±6 ppm/℃ ±10 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99