STB30NM60ND、STW30NM60ND、STP30NM60ND对比区别

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型号 STB30NM60ND STW30NM60ND STP30NM60ND

描述 N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

耗散功率 190 W 190 W 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @50V(Vds) 2800pF @50V(Vds) 2800pF @50V(Vds)

下降时间 75 ns 75 ns 75 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

连续漏极电流(Ids) 12.5 A 25A -

额定功率(Max) 190 W 190 W -

通道数 1 - -

漏源极电阻 130 mΩ - -

漏源击穿电压 600 V - -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free