STB30NM60ND中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2800pF @50VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB30NM60ND引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB30NM60ND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB30NM60ND | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET with fast diode | 搜索库存 |
替代型号STB30NM60ND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB30NM60ND 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 600V 12.5A | 当前型号 | N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET with fast diode | 当前型号 |
| 型号： STW30NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-CH 600V 25A | 功能相似 | N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET with fast diode TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247 | STB30NM60ND和STW30NM60ND的区别 |
| 型号： STP30NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 | 功能相似 | N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET with fast diode | STB30NM60ND和STP30NM60ND的区别 |