VB20120SG-E3/8W、VB20120SG-E3/4W对比区别

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型号 VB20120SG-E3/8W VB20120SG-E3/4W

描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管整流二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 1.33V @20A 1.33V @20A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A -

正向电压(Max) 1.33V @20A -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

长度 10.45 mm -

宽度 9.14 mm -

高度 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free