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MT46V32M16CY-5B:J、MT46V32M16BN-6:F TR、MT46V32M16CV-5B:J对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46V32M16CY-5B:J MT46V32M16BN-6:F TR MT46V32M16CV-5B:J

描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60Pin FBGA T/RDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 60Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 FBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60

工作电压 2.50 V - 2.50 V

供电电流 230 mA - 230 mA

位数 16 16 16

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 2.5V ~ 2.7V

电源电压(DC) - 2.50 V, 2.70 V (max) -

时钟频率 - 167MHz (max) -

存取时间 700 ps 6.00 ns -

内存容量 - 512000000 B -

封装 FBGA-60 TFBGA-60 FBGA-60

高度 - 0.85 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - EAR99