MT46V32M16BN-6:F TR
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT46V32M16BN-6:F TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max
时钟频率 167MHz max
位数 16
存取时间 6.00 ns
内存容量 512000000 B
存取时间Max 0.7 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 TFBGA-60
外形尺寸
高度 0.85 mm
封装 TFBGA-60
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MT46V32M16BN-6:F TR引脚图与封装图 
MT46V32M16BN-6:F TR引脚图
MT46V32M16BN-6:F TR封装图
MT46V32M16BN-6:F TR封装焊盘图
在线购买MT46V32M16BN-6:F TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT46V32M16BN-6:F TR | Micron 镁光 | DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60Pin FBGA T/R | 搜索库存 |
替代型号MT46V32M16BN-6:F TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT46V32M16BN-6:F TR 品牌： Micron 镁光 封装： 512000000B 2.5V 6ns | 当前型号 | DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60Pin FBGA T/R | 当前型号 |
| 型号： MT46V32M16CY-5B:J 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 | MT46V32M16BN-6:F TR和MT46V32M16CY-5B:J的区别 |