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TD62001P、ULQ2001A、ULN2004A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62001P ULQ2001A ULN2004A

描述 PDIP NPN 35V 0.5ASTMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列,包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管,用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚,采用 IC 封装,用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平,用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器STMICROELECTRONICS  ULN2004A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

引脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 - - 7

输出电压 - - 50 V

输出电流 - - 500 mA

通道数 - - 7

针脚数 - - 16

输入电容 - - 15.0 pF

热阻 - - 70 ℃/W

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

输入电压(Max) - - 15 V

输入电压(Min) - - 6 V

输出电压(Max) - - 50 V

输出电流(Max) - - 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) - 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -20 ℃

输入电压 - - 30 V

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

长度 - 20 mm 20 mm

宽度 - 7.1 mm 7.1 mm

高度 - 5.1 mm 5.1 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

工作温度 - 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 EAR99