IPB80N06S2-09、STP85NF55L、STB140NF55T4对比区别

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型号 IPB80N06S2-09 STP85NF55L STB140NF55T4

描述 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80.0 A

上升时间 29 ns 165 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 2360pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190 W 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 80.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.006 Ω 0.0065 Ω

阈值电压 - 1.6 V 3 V

漏源击穿电压 - 55.0 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V

额定功率(Max) - 300 W 300 W

长度 10 mm - 10.4 mm

宽度 9.25 mm - 9.35 mm

高度 4.4 mm - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)