IXDR30N120D1、IXGR32N60CD1、STGP10NB60S对比区别

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型号 IXDR30N120D1 IXGR32N60CD1 STGP10NB60S

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXDR30N120D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247 ISOPLUS-247 TO-220-3

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 200 W - 80 W

上升时间 70 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V

反向恢复时间 40 ns 25 ns -

额定功率(Max) 200 W 140 W 80 W

下降时间 70 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW - 80000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 10.0 A

漏源极电压(Vds) - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A

长度 16.13 mm 16.13 mm 10.4 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm 4.6 mm

高度 21.34 mm 21.34 mm 9.15 mm

封装 TO-247 ISOPLUS-247 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99