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STGP10NB60S

STGP10NB60S

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

IGBT - 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 29A 80W TO220


贸泽:
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp


e络盟:
单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
IGBT Single Transistor, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3


儒卓力:
**IGBT 600V 20A 1.7V TO220-3 **


DeviceMart:
IGBT N-CHAN 10A 600V TO-220


STGP10NB60S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGP10NB60S引脚图与封装图
STGP10NB60S引脚图

STGP10NB60S引脚图

STGP10NB60S封装图

STGP10NB60S封装图

STGP10NB60S封装焊盘图

STGP10NB60S封装焊盘图

在线购买STGP10NB60S
型号 制造商 描述 购买
STGP10NB60S ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚 搜索库存
替代型号STGP10NB60S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STGP10NB60S

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 600V 10A 80000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

当前型号

型号: STGP8NC60KD

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 65000mW

类似代替

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型号: IRG4PC50FPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-247AC 200000mW

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品牌: 英飞凌

封装: REEL 160000mW

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