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BAS116LT1、BAS116LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS116LT1 BAS116LT1G

描述 开关二极管 Switching DiodeON SEMICONDUCTOR  BAS116LT1G.  小信号二极管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V

额定电流 200 mA 200 mA

电容 2.00 pF 2.00 pF

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA

正向电压 1.25V @150mA 1.25V @150mA

极性 Standard Standard

热阻 417℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 3 µs 3 µs

正向电流(Max) 0.2 A 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

耗散功率 - 225 mW

正向电流 - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 500 mA

正向电压(Max) - 1.25 V

工作结温(Max) - 150 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.94 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃