DTB113ZKT146、PDTA113ZT,215、PDTB113ZT,215对比区别

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型号 DTB113ZKT146 PDTA113ZT,215 PDTB113ZT,215

描述 PNP 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.PDTA113Z 系列 50 V 100 mA PNP 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3NXP  PDTB113ZT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 - - 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 0.2 W 0.25 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 100mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @50mA, 5V 35 @5mA, 5V 70 @50mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - - 70

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 250 mW -

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -500 mA - -

额定功率 0.2 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 56 - -

增益带宽 200 MHz - -

高度 1.1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -