FDD6606、ISL9N2357D3ST、FDD8896对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDD6606 ISL9N2357D3ST FDD8896

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V ， 0.007欧姆， 35A ， N沟道UltraFET沟道功率MOSFET 30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8896  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 75.0 A - 94.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 7.00 mΩ 0.0047 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 71 W 100 W 80 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 2.52 nF

栅电荷 - - 46.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75A 35.0 A 94.0 A

上升时间 12 ns - 106 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) - 2525pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W - 80 W

下降时间 18 ns - 41 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 71W (Tc) - 80W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99