FDD6606
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6606中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 A
极性 N-CH
耗散功率 71 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2400pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD6606引脚图与封装图
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在线购买FDD6606
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6606 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD6606
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6606 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 30V 75A | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
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