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70T3519S133BF、70T3519S166BFG、70T651S12DRI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133BF 70T3519S166BFG 70T651S12DRI

描述 静态随机存取存储器 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 CABGA-208 PQFP-208

存取时间 4.2 ns 3.6 ns 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

长度 15 mm 15 mm 28 mm

宽度 15 mm 15 mm 28 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm 3.5 mm

封装 CABGA-208 CABGA-208 PQFP-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 3.50 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead