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CD74HCT573E、SN74HCT573DW、M74HCT573B1R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD74HCT573E SN74HCT573DW M74HCT573B1R

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD74HCT573E  芯片, 74HCT CMOS逻辑器件TEXAS INSTRUMENTS  SN74HCT573DW  芯片, 八透明D型锁存器八D型具有三态输出的非反相锁存 OCTAL D-TYPE LATCH WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 锁存器锁存器锁存器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 20 20 20

封装 DIP-20 SOIC-20 DIP-20

电源电压(DC) 4.50V ~ 5.50V 4.50V ~ 5.50V 5.00 V, 5.50 V (max)

输出接口数 8 8 8

输出电流 6 mA 6 mA 6.00 mA

电路数 8 8 8

针脚数 20 20 -

位数 8 8 8

极性 Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

电压波节 5.00 V 5.00 V -

逻辑门个数 8 - 8

输入数 8 8 8

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

通道数 - 8 -

传送延迟时间 - 40.0 ns -

输出电流驱动 - -1.00 mA -

长度 24.33 mm 12.8 mm 25.4 mm

宽度 6.35 mm 7.52 mm 7.1 mm

高度 4.57 mm 2.35 mm 2.68 mm

封装 DIP-20 SOIC-20 DIP-20

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99