锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BLF246B、UF28150J、MRF275G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF246B UF28150J MRF275G

描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor功率MOSFET晶体管150瓦, 100 - 500兆赫, 28 V POWER MOSFET TRANSISTOR 150 WATTS, 100 - 500 MHz, 28 V射频MOSFET线150W ,为500MHz , 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 5 5

封装 - 375-04 375-04

安装方式 Flange Surface Mount -

频率 - 100MHz ~ 500MHz 500 MHz

额定电流 8.00 A - 26 A

额定功率 - - 400 W

耗散功率 - 389 W 400 W

输出功率 60.0 W 150 W 150 W

增益 14.0 dB 8 dB 11.2 dB

测试电流 - 400 mA 100 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 233000 mW 400000 mW

额定电压 - 65 V 65 V

阈值电压 - 6 V -

漏源击穿电压 65.0V (min) 65 V -

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

封装 - 375-04 375-04

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99