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1N6374G、MPTE-8RL4G、1.5KE10ARL4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6374G MPTE-8RL4G 1.5KE10ARL4G

描述 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 41A-04 41A-04 DO-201AD

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 - - 9.5 V

电路数 - - 1

钳位电压 - - 14.5 V

最大反向电压(Vrrm) 8V 8V 8.55V

测试电流 - - 1 mA

最大反向击穿电压 - - 10.5 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V - 9.5 V

击穿电压 - - 9.5 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -60 ℃

工作结温 - - -65℃ ~ 175℃

长度 - - 9.5 mm

高度 - - 9.5 mm

封装 41A-04 41A-04 DO-201AD

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99