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IRFZ46ZPBF、STP80NF55-08、HUF75332P3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ46ZPBF STP80NF55-08 HUF75332P3

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V60A , 55V , 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 51.0 A 80.0 A 60.0 A

额定功率 - - 145 W

通道数 1 - 1

漏源极电阻 - 0.008 Ω 0.016 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 82 W 300 W 145 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 51.0 A 80.0 A 60.0 A

上升时间 63.0 ns 110 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 82 W 300 W 145 W

下降时间 - 35 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 W 145W (Tc)

针脚数 - 3 -

产品系列 IRFZ46Z - -

长度 - 10.4 mm 10.67 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 15.75 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99