BSZ050N03LSGATMA1、IRFHM830TRPBF、FDMC8588DC对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSZ050N03LSGATMA1 IRFHM830TRPBF FDMC8588DC

描述 INFINEON  BSZ050N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRFHM830TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 VN沟道MOSFET PowerTrench® 25 V ， 40 A ， 5.7英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TSDSON-8 QFN-8 DualCool-33-8

漏源极电阻 0.0042 Ω 0.003 Ω 0.0036 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 2.7 W 41 W

阈值电压 1 V 1.8 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 16A 21A 17A

上升时间 4 ns 25 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 2155pF @25V(Vds) 1695pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 2.7 W 3 W

下降时间 3.6 ns 9.2 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 2700 mW 3W (Ta), 41W (Tc)

额定功率 50 W 2.7 W -

针脚数 8 8 -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm

高度 1.1 mm 1.05 mm 0.75 mm

封装 PG-TSDSON-8 QFN-8 DualCool-33-8

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15