
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1695pF @13VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DualCool-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 DualCool-33-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMC8588DC | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench® 25 V , 40 A , 5.7英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMC8588DC 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 25V 17A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench® 25 V , 40 A , 5.7英里© N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ | 当前型号 | |
型号: BSZ050N03LSGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 16A | 功能相似 | INFINEON BSZ050N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 1 V | FDMC8588DC和BSZ050N03LSGATMA1的区别 |