IPB017N10N5ATMA1、IPB025N10N3GATMA1、IPB180N10S402ATMA1对比区别
型号 IPB017N10N5ATMA1 IPB025N10N3GATMA1 IPB180N10S402ATMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
引脚数 8 7 -
通道数 1 - 1
针脚数 7 7 7
漏源极电阻 0.0015 Ω 0.002 Ω 2.5 MΩ
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 375 W 300 W 300 W
阈值电压 2.2 V 2.7 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 180A 180A
上升时间 23 ns 58 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 15600pF @50V(Vds) 11100pF @50V(Vds) 14600pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns 28 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 300000 mW 300W (Tc)
额定功率 375 W 300 W -
额定功率(Max) 375 W - -
封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7
长度 - 10 mm -
宽度 9.25 mm 9.25 mm -
高度 - 4.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -